IRF7314TRPBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7314TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF7314PBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF7314PBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF7314PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF7314TRPBF
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 5,3A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF7314TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,3A
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 2,9A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	700mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	29nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	780pF při 15V
Výkon - max	2W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	IRF731